DRAM（メモリ）

器にためた電気で覚える

DRAMの記憶の単位（セル）は、トランジスタ1個とキャパシタ1個でできている。キャパシタに電気がたまっていれば1、空なら0だ。トランジスタは器の出入り口のスイッチで、縦横に走る配線で場所を選んで開け、中身を読んだり書いたりする。

キャパシタにたまる電気はごくわずかで、しかも少しずつ漏れていく。そこで、全てのセルを数十ミリ秒ごとに読み直して書き戻す（リフレッシュ）。この仕組みのおかげで1セルが小さく済み、速く読み書きできるが、電源を切ると書き戻せず、中身は消える。電源を切っても残るNANDフラッシュとは、ここが違う。

• 技術図鑑NANDフラッシュは、なぜ電源を切っても忘れない？

何に使われ、どこが難しいか

パソコンやスマートフォン、サーバーで、CPUやGPUが今まさに使うデータを置く主記憶に使われる。長く保存するのはNANDフラッシュやハードディスクで、DRAMは計算の作業机の役を持つ。GPUのすぐ横にDRAMのチップを何枚も積み重ね、チップを貫く細い電極で縦につないだものをHBM（高帯域幅メモリ）と呼ぶ。

難しいのは、セルを小さくするほど、キャパシタがためられる電気が減ることだ。電気を確実にためるため、キャパシタを細く深い筒の形にして、原子の層を1層ずつ積む成膜で内側に薄い膜を付ける。セルを平面に並べるのではなく、縦に積み重ねる3D DRAMの開発も行われている。

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日本の会社が担う所

キオクシアホールディングスは、3D DRAMに向けて、高く積み重ねられる酸化物半導体のトランジスタ技術を開発した。ADEKAは、DRAMの製造で原子の層を積む成膜（ALD）に使う材料を開発している。アドバンテストは、DRAMやフラッシュメモリを実際の動作速度で試験するテストシステムを開発している。

• 会社図鑑キオクシアホールディングス（285A）
• 会社図鑑ADEKA（4401）
• 会社図鑑アドバンテスト（6857）

有報に書いている会社

有価証券報告書の「研究開発活動」または「事業の内容」に、この技術を書いている上場会社の一部。会社名の下は有報の原文の一文。

• キオクシアホールディングス（285A）「高密度・低消費電力3D DRAMの実用化に向けた基盤技術2025年12月高密度・低消費電力3D DRAMの実用化に向けた基盤技術として高積層可能な酸化物半導体チャネルトランジスタ技術を開発。」研究開発活動
• 日本酸素ホールディングス（4091）「・半導体関連事業においては、ロジックやDRAM等の先端半導体分野向けに、Rasirc, Inc.の過酸化水素供給ソース「BRUTER Peroxide」などの材料展開を米国、日本及び欧州で継続しております。」研究開発活動
• アドバンテスト（6857）「…開発 (テストシステム事業部門)· 超高速メモリ半導体を実動作速度で試験するテストシステムの開発· DRAM半導体及びフラッシュメモリ半導体の試験の機能性を向上し、省スペース化したテストシステムの開発· メモリデバイスの信頼性と機能性を多数…」研究開発活動
• 住友重機械工業（6302）「現在、DRAMやNANDなどのメモリ市場はAI半導体の旺盛な需要にありますが、次世代メモリの製造工程で採用が決まっている「LT-3100」も増産の要求を受けています。」研究開発活動
• 日揮ホールディングス（1963）「電子材料分野世界的な生成AIの拡大によりデータセンター向けストレージデバイスなどの旺盛な需要は継続しており、ハードディスクやHBMなど半導体デバイス市場が堅調に推移しております。」研究開発活動
• ADEKA（4401）「(i) メモリ半導体材料微細化・高容量化・省電力化が求められる最先端DRAMに対応したALD材料の開発と新製品の安定供給に関わる開発を進めました。」研究開発活動
• リンテック（7966）「さらに、生成AI関連デバイスやHBMを用いた先端パッケージ、薄型ウェハを用いるインテリジェントセンサーや3D NANDフラッシュメモリー向けに、高機能ダイシングテープ、バックグラインドテープ、ダイシング・ダイボンディングテープの開発および提…」研究開発活動
• アルバック（6728）「また、メモリ分野においても微細化、高積層化の進むDRAM及び3次元NANDフラッシュメモリでの他工程参入を目指した装置及び成膜プロセス開発も進めております。」研究開発活動
• ソシオネクスト（6526）「また、注力分野を中心に先端テクノロジー(5nm、3nm)、大規模およびHBMを搭載した2.5Dなどの高密度実装を使用したカスタムSoCのテープアウトも複数完了し、量産に向けて進んでいます。」研究開発活動
• ウシオ電機（6925）「特に生成AI向けGPUやHBM実装需要の拡大によって、配線微細化・多層化・大面積化・高位置合わせ精度等が同時に進み、今まで以上に装置の装置要求が高まっております。」研究開発活動
• 太陽ホールディングス（4626）「…行う半導体チップのGPU、モバイル端末では通信や動作を司るアプリケーションプロセッサ、記憶媒体であるDRAM、NANDフラッシュメモリなど主要な半導体デバイス向けPKG基板に当社グループのSRが広く使用されています。」研究開発活動
• リガク・ホールディングス（268A）「…てないスピードで微細化・三次元化が進み、HBM(High Bandwidth Memory)、3D DRAM等の次世代メモリや2nm世代以降のロジック半導体へのニーズが高まっております。」研究開発活動
• 関東電化工業（4047）「…ル)やCH3F(モノフルオロメタン)等の供給に努めるとともに、AI半導体(GPU)や高帯域幅メモリ(HBM)、最先端メモリの需要増加に対応し、エッチング・クリーニング・成膜に用いられる高性能ガスや新規材料開発に注力していきます。」研究開発活動
• イノテック（9880）「また、NAND向けテストシステムの技術を応用し開発を進めているDRAM向けテストシステムについては、製品の小型化に向けた試作基板の開発に取り組み、基礎評価を完了いたしました。」研究開発活動
• トーメンデバイス（2737）「品目別主要取扱品目半導体 メモリDRAM、NAND FLASH、MCP(マルチチップ・パッケージ)、SSD(ソリッドステートドライブ)等システムLSISoC(システム・オン・チップ)、DDI(ディスプレイドライバーIC)、CIS(CMOSイ…」事業の内容
• テクセンドフォトマスク（429A）「メモリ半導体は、データを記憶するための半導体であり、短期記憶向けのDRAMや長期記憶向けのNAND型フラッシュメモリ等が該当します。」事業の内容
• シンデン・ハイテックス（3131）「また、多くのデジタル製品に使われるDRAM(Dynamic Random Access Memory)及びフラッシュメモリー等、多様な種類の商品があります。」事業の内容